证券日报网讯 12月23日,捷捷微电在互动平台回答投资者提问时表示,公司与中国科学院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件,截至目前,公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件,此外,公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测,该系列产品仍在持续研究推进过程中,尚未进入量产阶段。
(编辑 袁冠琳)
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